Т-141. Открытый эмиттерный pn-переход «впрыскивает» заряды в коллекторный pn-переход и тем самым меняет его сопротивление, управляет коллекторным током.

28 июня 2008 в 09. Создание мощной копии

Т-139. Три зоны транзистора-эмиттер, коллектор и база; усиливаемый сигнал подводят к эмиттерному pn-переходу, и усиленный получают в коллекторной цепи.

26 июня 2008 в 09. Создание мощной копии

Т-138. Транзистор-полупроводниковый прибор с двумя pn-переходами и тремя зонами разной проводимости, со структурой p-n-р или п-р-п.

25 июня 2008 в 09. Создание мощной копии

Т-132. Основной элемент всех полупроводниковых приборов-pn-переход, область соприкосновения зоны р и зоны п.

19 июня 2008 в 09. Создание мощной копии